中低壓mos廠家-中低壓mos-炫吉電子(查看)

詢盤留言 |投訴|申領(lǐng)|刪除 產(chǎn)品編號(hào)：584295537 更新時(shí)間：2024-08-29

蘇州炫吉電子科技有限公司

主營業(yè)務(wù)：單片機(jī),MOS,大電流mos
公司官網(wǎng)：szxjdz123.tz1288.com
公司地址：蘇州市相城區(qū)渭塘鎮(zhèn)渭涇西路10-7號(hào)

業(yè)務(wù)熱線： 13771996396 (陳鶴先生)

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物流說明 : 貨運(yùn)及物流
交貨說明 : 按訂單

公司成立于2013年7月，專注從事單片機(jī)的應(yīng)用開發(fā)及生產(chǎn)，并提供全系列中低壓MOS及電源、鋰電IC等的銷售，在LED及小家電等消費(fèi)類電子產(chǎn)品上應(yīng)用廣泛，為您量身定制適合的芯片方案。

參考電壓可以來自于采樣電阻，也就是在NMOS的S極接一個(gè)大功率小電阻后接地，這個(gè)電阻做電流采樣，當(dāng)電流流過電阻后會(huì)形成電壓，把它放大處理后做參考。

剛開始的時(shí)候，中低壓mos，電流很小，所以控制電壓比參考電壓高很多，可以使管子迅速導(dǎo)通，在很短時(shí)間后，當(dāng)電流增大逐步達(dá)到某個(gè)值時(shí)，參考電壓迅速上升，與控制電壓接近并超過時(shí)，比較器就輸出低電平（接近0V）使管子截止，電流減小。然后電流減少后，參考電壓又下去，管子又導(dǎo)通，電流又增大。然后周而復(fù)始。

MOS管FET柵源保護(hù)：

1）避免柵極 di/dt 過高

因?yàn)檫x用驅(qū)動(dòng)集成ic，其輸出阻抗較低，直推功率管會(huì)造成推動(dòng)的功率管迅速的開啟和斷連，有可能導(dǎo)致功率管漏源極間的工作電壓波動(dòng)，或是有可能導(dǎo)致功率管遭到過高的 di/dt 而造成誤通。為預(yù)防以上問題的產(chǎn)生，一般在 MOS 控制器的導(dǎo)出與 MOS 管的柵極中間串連一個(gè)電阻器，中低壓mos廠家，電阻器的尺寸一般選擇幾十歐母。

2）避免柵源極間過壓

因?yàn)闁艠O與源極的特性阻抗很高，漏極與源極間的工作電壓基因突變會(huì)根據(jù)極間電容藕合到柵極而造成非常高的柵源頂i峰工作電壓，此工作電壓會(huì)使非常薄的柵源空氣氧化層穿透，與此同時(shí)柵極非常容易累積正電荷也會(huì)使柵源空氣氧化層穿透，因此，要在 MOS 管柵極串聯(lián)穩(wěn)壓極管以限定柵極工作電壓在穩(wěn)壓極管值下，保護(hù) MOS 管不被穿透。

3）安全防護(hù)漏源極中間過壓

盡管漏源擊穿電壓 VDS 一般都非常大，但假如漏源極不用保護(hù)電路，一樣有可能由于器件電源開關(guān)一瞬間電流量的基因突變而造成漏極頂i峰工作電壓，從而毀壞 MOS 管，功率管電源開關(guān)速率越快，中低壓mos萬芯半導(dǎo)體，造成的過壓也就越高。為了更好地避免器件毀壞，一般選用齊納二極管鉗位和 RC 緩存電路等保護(hù)對(duì)策。

MOS管導(dǎo)通的意思就是將其做為開關(guān)，等同于開關(guān)合閉。NMOS的特點(diǎn)是當(dāng)Vgs超過限定的值時(shí)就會(huì)導(dǎo)通，適用與源極接地裝置的狀況，只需柵壓電壓做到4V或10V就可以了。而PMOS的特點(diǎn)則是當(dāng)Vgs低于一定的值就會(huì)導(dǎo)通，適用與源極接Vcc的狀況?？墒?，盡管PMOS能夠很便捷的作為高i檔驅(qū)動(dòng)，WP中低壓mos，但因?yàn)閷?dǎo)通電阻器大、價(jià)錢成本高、更換類型少等緣故，在高i檔驅(qū)動(dòng)中，一般都用NMOS。

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