Flash 儲存器的標(biāo)準(zhǔn)物理結(jié)構(gòu),稱之為基本位(cell);一般MOS閘極(Gate)和通道的間隔為氧化層之絕緣(gate oxide),而Flash 儲存器的特色是在控制閘(Control gate)與通道間多了一層稱為“浮閘”(floating gate)的物質(zhì)。拜這層浮閘之賜,存儲器,使得Flash 儲存器可快速完成讀、寫、抹除等三種基本操作模式;就算在不提供電源給內(nèi)存的環(huán)境下,210度進(jìn)口存儲器型號,也能透過此浮閘,來保存數(shù)據(jù)的完整性。
150度高溫存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ,適用于石油測井勘探領(lǐng)域。存儲器能做高溫的廠家不多,150度常用的是25LC256系列,175度FLASH存儲器可以做到4MB容量,200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器,容量較小,如有需要的客戶,歡迎來電。
使用寄存器可以縮短至零長度、節(jié)省存儲空間,提高指令的執(zhí)行速度。不同的寄存器有不同的作用,如:通用寄存器(GR)用以存放操作數(shù)、操作數(shù)的地址或中間結(jié)果;指令寄存器(IR)用以存放當(dāng)前正在執(zhí)行的指令,以便在指令執(zhí)行的過程中,控制完成一條指令的全部功能。
但是存儲器包括寄存器,存儲器有ROM和RAM,寄存器只是用來暫時存儲,是臨時分配出來的,所以存儲器不會像寄存器斷電后里面的內(nèi)容就沒了。
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存取時間(訪問時間)TA:從存儲器接收到讀/寫命令到信息被讀出或?qū)懭胪瓿伤璧臅r間(決定于存儲介質(zhì)的物理特性和尋址部件的結(jié)構(gòu))。
例如:
ROM存取時間通常為幾百ns;
RAM存取時間通常為幾十ns到一百多ns;
雙極性RAM存取時間通常為10~20ns。
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