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合肥啟爾特石油科技有限公司
主營：175度晶振,150度單片機,150度存儲器,175度電容
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1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)，強調(diào)降低每比特的成本，更高的性能，并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。
NAND Flash沒有采取內(nèi)存的隨機讀取技術，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進行的，通常是一次讀取512個字節(jié)，采用這種技術的制作Flash的成本更廉價。
用戶不能直接運行NAND Flash上的代碼，175度高溫存儲器型號，因此好多使用NAND Flash的開發(fā)板除了使用NAND Flash以外，還做上了一塊小的NOR Flash來運行啟動代碼。
進口210度存儲器合肥啟爾特石油科技有限公司新到一批150度、175度、200度、210度高溫存儲器 ，適用于石油測井勘探領域。存儲器能做高溫的廠家不多，150度常用的是25LC256系列，175度FLASH存儲器可以做到4MB容量，200度和210度的都是TI公司eeprom存儲器，容量較小，如有需要的客戶，歡迎來電。
電壓穩(wěn)定性：確保EEPROM存儲器的供電電壓穩(wěn)定，避免電壓過高或過低。可以使用IRF7832TRPBF穩(wěn)壓器或電壓監(jiān)測器來監(jiān)測和調(diào)節(jié)供電電壓。
寫入和擦除保護：在寫入和擦除操作之前，可以使用寫入和擦除保護功能來確保操作的正確性。這可以通過設置特定的控制位或使用寫入和擦除保護的硬件電路來實現(xiàn)。
溫度控制：EEPROM存儲器對溫度敏感，過高或過低的溫度都可能導致存儲器的故障。因此，應盡量保持EEPROM存儲器在適宜的溫度范圍內(nèi)工作。
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磁性隨機存儲器(MRAM)
從原理上講，MRAM的設計是非常誘人的，它通過控制鐵磁體中的電子旋轉(zhuǎn)方向來達到改變讀取電流大小的目的，存儲器，從而使其具備二進制數(shù)據(jù)存儲能力。理論上來說，鐵磁體是長久不會失效的，因此它的寫入次數(shù)也是沒有限制的。
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