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MOS管失效的兩個主要原因：
電壓失效：即漏源間的BVdss電壓超過MOS管額定電壓，達到一定容量，造成MOS管失效。
柵電壓故障：柵極遭受異常電壓尖峰，造成柵氧層故障。
雪崩破壞到底是什么？簡單地說，MOS管是由母線電壓、變壓器反射電壓、漏感尖峰電壓等與MOS管之間疊加而形成的故障模式。簡而言之，即MOS管漏源極的電壓超過了它規(guī)定的電壓值，萬芯mos管價格，并且達到了某一能量極限i時所產生的常見故障。
造成柵電壓異常高的主要原因有三個：生產、運輸和裝配過程中的靜電；設備和電路寄生參數在電力系統(tǒng)運行過程中產生高壓諧振；在高壓沖擊時，高壓通過Ggd傳輸到電網(雷擊測試時這種故障更為常見)。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導體(semiconductor)場效應晶體管，或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。G：gate 柵極；S：source 源極；D：drain 漏極。MOS管的source（源極）和drain（耗盡層）是可以對調的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。在多數情況下，萬芯mos管報價，這個兩個區(qū)是一樣的，即使兩端對調也不會影響器件的性能。這樣的器件被認為是對稱的。場效應管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管，屬于絕緣柵場效應管。
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MOS管導通的意思就是將其做為開關，萬芯mos管公司，等同于開關合閉。NMOS的特點是當Vgs超過限定的值時就會導通，適用與源極接地裝置的狀況，只需柵壓電壓做到4V或10V就可以了。而PMOS的特點則是當Vgs低于一定的值就會導通，適用與源極接Vcc的狀況?？墒牵M管PMOS能夠很便捷的作為高i檔驅動，臺州萬芯mos管，但因為導通電阻器大、價錢成本高、更換類型少等緣故，在高i檔驅動中，一般都用NMOS。
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