采用壓力控制器方案,控制往真空腔體內(nèi)充入的惰性氣體的壓力以營造一個(gè)控制良好的鍍膜環(huán)境。與反應(yīng)腔體直接連接的外置真空計(jì)測量持續(xù)的過程壓力,該壓力讀數(shù)通過模擬信號傳輸?shù)綁毫刂破鞑@示。
進(jìn)入腔體內(nèi)的參與反應(yīng)的氣體的流量由質(zhì)量流量控制器控制。因?yàn)樯鲜龅膲毫刂破骺梢詼y得腔體內(nèi)的壓力、并通過調(diào)節(jié)非反應(yīng)類氣體的含量實(shí)時(shí)調(diào)節(jié)過程壓力,parylene 防水,從而使腔體內(nèi)形成利于沉積的鍍膜環(huán)境。
濃度在5%以下時(shí),鋼、鎳、黃銅的腐蝕速度隨濃度的增加而增加;當(dāng)濃度大于5%時(shí),這些金屬的腐蝕速度卻隨著濃度的增加而下降。這是因?yàn)?,在低濃度范圍?nèi),parylene 廠家,氧含量隨鹽濃度的增加而增加;當(dāng)鹽濃度增加到5%時(shí),氧含量達(dá)到相對的飽和,如果鹽濃度繼續(xù)增加,氧含量則相應(yīng)下降。氧含量下降,氧的去極化能力也下降即腐蝕作用減弱。對于鋅、鎘、銅等金屬,腐蝕速度卻始終隨著鹽溶液濃度的增加而增加。考夫曼離子源是應(yīng)用較早的離子源。屬于柵格式離子源。首先由陰極在離子源內(nèi)腔產(chǎn)生等離子體,讓后由兩層或三層陽極柵格將離子從等離子腔體中抽取出來。這種離子源產(chǎn)生的離子方向性強(qiáng),離子能量帶寬集中,parylene,可廣泛應(yīng)用于真空鍍膜中。缺點(diǎn)是陰極(往往是鎢絲)在反應(yīng)氣體中很快就燒掉了,parylene 耐溫,另外就是離子流量有極限,對需要大離子流量的用戶可能不適和。
霍爾離子源是陽極在一個(gè)強(qiáng)軸向磁場的協(xié)作下將工藝氣體等離子化。這個(gè)軸向磁場的強(qiáng)不平衡性將氣體離子分離并形成離子束。由于軸向磁場的作用太強(qiáng),霍爾離子源離子束需要補(bǔ)充電子以中和離子流。常見的中和源就是鎢絲(陰極)。
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